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参数目录36846
> BDP 949 E6327 TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223
型号:
BDP 949 E6327
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
BDP 949 E6327 PDF
标准包装
1,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 500mA,1V
功率 - 最大
5W
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
PG-SOT223-4
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1622 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
BDP 949 E6327-ND
BDP949E6327BTSA1
BDP949E6327HTSA1
BDP949E6327INTR
BDP949E6327XT
SP000010932
查看BDP 949 E6327代理商
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